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參數(shù)資料
| 型號： | IRFU3708PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Replacement for Texas Instruments part number SN74LS138N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics. |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | IRFU3708PBF |
IRFR/U3708PbF
www.irf.com
9
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEED DIRECTION
FEED DIRECTION
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481.
16 mm
13 INCH
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 0.7 mH
R
G
= 25
, I
AS
= 24.8 A.
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 30A.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3709ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3709ZCPbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3711Z | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3711Z | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3911PBF | SMPS MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFU3709 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU3709PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 30V 90A I-PAK |
| IRFU3709Z | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3709Z-701P | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 86A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU3709ZCPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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