參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU3708PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Replacement for Texas Instruments part number SN74LS138N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： IRFU3708PBF
www.irf.com
1
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
12.5m
V
DSS
30V
I
D
61A
Notes
through are on page 9
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.58 W/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
30
Units
V
Drain-Source Voltage
± 12 V
61
51
244
87
61
A
W
W
-55 to + 175
°C
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.73
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
D-Pak
IRFR3708 IRFU3708
I-Pak
High Frequency DC-DC Isolated Converters
with Synchronous Rectification for Telecom
and Industrial Use
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Applications
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Lead-Free
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3709ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU3709ZCPbF HEXFET Power MOSFET
IRFR3711Z HEXFET Power MOSFET
IRFU3711Z HEXFET Power MOSFET
IRFR3911PBF SMPS MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU3709 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3709PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 30V 90A I-PAK
IRFU3709Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3709Z-701P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 86A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3709ZCPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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