參數(shù)資料
型號： IRFU3505PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： IRFU3505PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.057 –––
–––
0.011 0.013
2.0
–––
41
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
62
–––
17
–––
22
–––
13
–––
74
–––
43
–––
54
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 30A
V
DS
= 10V, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 30A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 30A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V
I
D
= 30A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 44V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
20
250
200
-200
93
26
33
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2030
470
91
2600
330
630
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 30A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 30A, V
DD
= 28V
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
70
180
1.3
105
270
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
71
280
Notes
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相關PDF資料
PDF描述
IRFU3704PbF HEXFET Power MOSFET
IRFU9024NCPBF HEXFET POWER MOSFET
IRFR9024NCPBF HEXFET POWER MOSFET
IRFV260 TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=200V, Rds(on)=0.060ohm, Id=45A*)
IRFZ24NPBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFU3518PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 38A I-PAK
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