參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU120N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大小： 152K
代理商： IRFU120N
IRFR/U120N
www.irf.com
9
Package Outline
TO-251AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-251AA (I-PARK)
Part Marking Information
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
2.28 (.090)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LE AD A SS IGN ME NTS
1 - GATE
2 - D RA IN
3 - SOU R C E
4 - D RA IN
N OTE S:
1 D IM EN S ION IN G & TOLE RA N C IN G PE R A N SI Y 14.5M, 1982.
2 C ON TROLLIN G D IM EN SION : IN C H .
3 C ON FOR MS TO JED EC OU TLIN E TO-252A A.
4 D IM EN S ION S S HOW N A R E B EF ORE SOLD ER D IP,
SOLDE R DIP MA X. +0.16 (.006).
9.65 (.380)
8.89 (.350)
3X
2.28 (.090)
1.91 (.075)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
4
1 2 3
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
FIRST PORTION
OF PART NUMBER
SECOND PORTION
OF PART NUMBER
120
9U 1P
EXAMPLE : THIS IS AN IRFU120
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9U1P
IRFU
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR120N HEXFET Power MOSFET
IRFU13N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
IRFR13N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
IRFU13N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFR13N20 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU120NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU120PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU120TR 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRFU120Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU120ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 8.7A 190mOhm 6.9nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*