參數(shù)資料
型號： IRFS59N10D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.025ohm，身份證\u003d 59A條）
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代理商： IRFS59N10D
IRFB/IRFS/IRFSL59N10D
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
35.4A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFB61N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB9N60 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFB9N60A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFB9N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFS59N10DTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFS59N10DTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS59N10DTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 59A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
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