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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFRU9214 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HA1L-M1C53-G L6 Ovrsz ILL PB Rnd Flsh Mom SPDT 12V LED Sldr |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 250V，的Rds（on）\u003d 3.0ohm，身份證\u003d- 2.7A） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | IRFRU9214 |
IRFR/U9214
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
100
200
300
400
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0.1
1
10
100
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
100us
1ms
10ms
0
3
Q , Total Gate Charge (nC)
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
-1.7 A
V
=-50V
DS
V
=-125V
DS
V
=-200V
DS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU9214 | Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A) |
| IRFR9214 | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFRU9310 | Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) |
| IRFR9310 | Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) |
| IRFU9310 | Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRFS 3004PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk |
| IRFS 3006-7PPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk |
| IRFS 3107-7PPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk |
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