參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR6215
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d-為150V，的Rds（on）\u003d 0.295ohm，身份證\u003d- 13A條）
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大小： 141K
代理商： IRFR6215
IRFR/U6215
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
G
A
-
Q , Total Gate Charge (nC)
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = -6.6A
V = -120V
V = -75V
V = -30V
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
T = 25°C
V = 0V
G S
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
T = 175°C
1
10
100
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10ms
A
-
D
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
10μs
100μs
1ms
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
0
400
800
1200
1600
2000
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFR6215PBF-BL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFR6215TR 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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