參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR120N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 152K
代理商： IRFR120N
IRFR/U120N
2
www.irf.com
Parameter
Min.
100
–––
–––
2.0
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.12
–––
–––
0.21
–––
4.0
–––
–––
–––
25
–––
250
–––
100
–––
-100
–––
25
–––
4.8
–––
11
4.5
–––
23
–––
32
–––
23
–––
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 5.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 5.7A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 5.7A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 50V
I
D
= 5.7A
R
G
= 22
R
D
= 8.6
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
ns
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
330
92
54
–––
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nH
I
GSS
S
D
G
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5 –––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 5.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 5.7A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
99
390
1.3
150
580
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
9.4
38
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 4.7mH
R
G
= 25
, I
AS
= 5.7A. (See Figure 12)
I
SD
≤
5.7A, di/dt
≤
240A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Uses IRF520N data and test conditions
This is applied for I-PAK, Ls of D-PAK is measured between lead and
center of die contact
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU13N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
IRFR13N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
IRFU13N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFR13N20 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFR13N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFR120NCTRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR120NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
IRFR120NPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR120NTPBF 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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