參數(shù)資料
型號: IRFP140
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: JFETs
英文描述: 31 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
封裝: TO-247AC, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大?。?/td> 157K
代理商: IRFP140
Document Number: 90265
www.vishay.com
945
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP152 34 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFP1405PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 160A 5.3mOhm 120nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP140A 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP140N 功能描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件