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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFNG50 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET N溝道（BVdss \u003d 1000V的的Rds（on）\u003d 2.0ohm，身份證\u003d 5.5A） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 213K |
| 代理商： | IRFNG50 |
IRFNG50 Device
Fig. 10b — Switching Time Waveforms
Fig. 10a — Switching Time Test Circuit
Fig. 9 — Maximum Drain Current Vs. Case Temperature
Fig. 7 — Typical Source-to-Drain Diode Forward
Voltage
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
OPERATIONBY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 8 — Maximum Safe Operating Area
D
I
10us
100us
1ms
10ms
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PDF描述 |
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