型號(hào): | IRFL1006TR |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SOT-223 |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 2.3AI(四)|的SOT - 223 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 160K |
代理商: | IRFL1006TR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFL30N20D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262 |
IRFB30N20D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
IRFS30N20DTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
IRFL5505 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223 |
IRFM010 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFL110 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFL110PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFL110TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFL110TRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFL210 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |