參數(shù)資料
型號(hào)： IRFL1006
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 127K
代理商： IRFL1006
IRFL1006
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
1.6A, di/dt
≤
260A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
Starting T
J
= 25°C, L = 42 mH
R
G
= 25
, I
AS
= 1.6A. (See Figure 12)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 1.6A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.6A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
31
46
1.3
47
68
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
6.4
1.6
A
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Min. Typ. Max. Units
60
–––
–––
0.057 –––
–––
–––
2.0
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.4
–––
18
–––
18
–––
17
–––
160
–––
55
–––
19
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 1.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 1.6A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 1.6A
V
DS
= 48V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 9
V
DD
= 30V
I
D
= 1.6A
R
G
= 49
R
D
= 19
, See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
–––
V
V/°C
V
S
0.22
4.0
–––
25
250
100
-100
8.0
1.7
3.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
I
GSS
ns
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFN350 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.315ohm, Id=14A)
IRFN3710 TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A)
IRFN440 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
IRFN450 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.415ohm, Id=12A)
IRFNG40 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=3.9A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFL1006HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
IRFL1006PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 2.3A 220mOhm 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL1006TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFL110 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL110PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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