參數(shù)資料
型號： IRFI9610GPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 212K
代理商： IRFI9610GPBF
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
)*+++
V
DD
)*
I
SD
67
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
2
-('</2
M-'M
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5
'$/
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$ $3%''
60
5
2-/6M6.
555
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI9610G HEXFET POWER MOSFET
IRFI9640 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A)
IRFI9640G Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A)
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參數(shù)描述
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IRFI9620GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI9630 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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IRFI9630GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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