參數(shù)資料
型號: IRFI9610GPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 212K
代理商: IRFI9610GPBF
+ )
3+ )./%
&'*/ 0)
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
#
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
41/./%
41/
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
40
80
120
160
200
240
EA
ID
TOP
-0.9A
-1.3A
BOTTOM
-2.0A
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PDF描述
IRFI9610G HEXFET POWER MOSFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFI9620GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI9630 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRFI9630G 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI9630GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube