參數(shù)資料
型號： IRFF9230
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： -4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET
中文描述： 4 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
文件頁數(shù)： 5/7頁
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代理商： IRFF9230
4-118
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
0.95
0.85
0.75
-40
0
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
40
N
B
80
120
160
1.05
1.15
I
D
= -250
μ
A
2000
400
00
-20
-50
C
1200
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1600
800
C
ISS
C
OSS
C
RSS
-10
-30
-40
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
-3
-6
-9
-12
1.4
2.8
4.2
5.6
7.0
-15
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
0
-0.4
-1.0
-1.2
-1.6
-1.8
-0.6
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
-0.8
-1.4
-0.1
-1.0
I
S
,-100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
0
-5
-10
-15
0
8
16
24
32
40
V
DS
= -160V
V
DS
= -100V
V
DS
= -40V
I
D
= -4A
Q
g(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
IRFF9230
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFF9230 HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
IRFG110 POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
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IRFG6110 POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
IRFG9110 POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
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IRFG5110 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N/P-CH 100V 1A 14PIN MO-036AB - Bulk
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