型號(hào): | IRFD214 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.45A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 250V,的Rds(on)\u003d 2.0ohm,身份證\u003d 0.45A) |
文件頁(yè)數(shù): | 3/8頁(yè) |
文件大?。?/td> | 497K |
代理商: | IRFD214 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFD224 | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A) |
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IRFD310 | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=0.35A) |
IRFD420 | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=0.37A) |
IRFD9020 | HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFD220 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFD220119 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
IRFD220PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFD220R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR |