參數(shù)資料
型號： IRFBA22N50A
廠商： International Rectifier
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 106K
代理商： IRFBA22N50A
IRFBA22N50A
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
590
600
610
620
630
640
0
4
8
12
16
20
24
A
D
I , Avalanche Current (A)
V
25
50
75
100
125
150
0
500
1000
1500
2000
2500
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
10.7A
15A
24A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBA90N20 CAP 470PF 200V 20% X7R DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IRFBA90N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=98A)
IRFBC20L Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC20S Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
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參數(shù)描述
IRFBA22N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 24 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA31N50L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFBA32N50K 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFBA34N50C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-273AA
IRFBA35N60C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-273AA
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