參數(shù)資料
型號(hào)： IRFBA22N50A
廠商： International Rectifier
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： IRFBA22N50A
IRFBA22N50A
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
1
10
100
1000
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
20
40
60
80
100
120
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
23A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
1
10
100
0.4
0.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBA90N20 CAP 470PF 200V 20% X7R DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IRFBA90N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=98A)
IRFBC20L Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC20S Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFBA22N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 24 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA31N50L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFBA32N50K 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFBA34N50C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-273AA
IRFBA35N60C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-273AA
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