參數(shù)資料
型號： IRFBA22N50
廠商： International Rectifier
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： IRFBA22N50
IRFBA22N50A
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFET
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBA22N50A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFBA90N20 CAP 470PF 200V 20% X7R DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IRFBA90N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=98A)
IRFBC20L Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC20S Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFBA22N50A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 24 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA22N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 24 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA31N50L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFBA32N50K 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFBA34N50C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-273AA
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