參數(shù)資料
型號(hào)： IRFBA22N50
廠商： International Rectifier
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： IRFBA22N50
IRFBA22N50A
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
–––
66
–––
46
–––
44
–––
3397
–––
505
–––
17
–––
4884
–––
134
–––
154
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 13.8A
I
D
= 23A
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 250V
I
D
= 23A
R
G
= 4.3
R
D
= 10.6
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 400V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
114
28
47
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
pF
Parameter
Min. Typ. Max. Units
500
–––
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 13.8A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V, T
J
= 125
°
C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
R
DS(on)
V
GS(th)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
–––
0.23
4.0
25
250
100
-100
V
V
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1180
24
34
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 23A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 23A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
490
6.4
1.5
735
9.6
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
23
92
A
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
0.37
–––
58
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°
C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBA22N50A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFBA90N20 CAP 470PF 200V 20% X7R DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IRFBA90N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=98A)
IRFBC20L Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC20S Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFBA22N50A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 24 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA22N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 24 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA31N50L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFBA32N50K 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFBA34N50C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-273AA
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