參數(shù)資料
型號： IRFB9N60
廠商： International Rectifier
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： IRFB9N60
IRFB9N60A
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
9.2A
V
= 120V
DS
V
= 300V
DS
V
= 480V
400V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.7
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
400
800
1200
1600
2000
2400
1
10
100
1000
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
相關PDF資料
PDF描述
IRFB9N60A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFB9N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
IRFB9N65A Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
IRFBA22N50 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFBA22N50A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB9N60A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB9N60APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB9N65 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
IRFB9N65A 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB9N65APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*