型號: | IRFB59N10 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)最大值\u003d 0.025ohm,身份證\u003d 59A條) |
文件頁數(shù): | 8/11頁 |
文件大?。?/td> | 138K |
代理商: | IRFB59N10 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFB59N10D | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) |
IRFS59N10D | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) |
IRFSL59N10D | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) |
IRFB61N15D | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
IRFB9N60 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFB59N10D | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 |
IRFB59N10DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
IRFB59N10DPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFB61N15D | 制造商:International Rectifier 功能描述:60 A, 150 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
IRFB61N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |