參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB4410
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大小： 409K
代理商： IRFB4410
www.irf.com
9
TO-262 Package Outline
(Dimensions are shown in millimeters (inches))
TO-262 Part Marking Information
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IGBT
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3- EMITTER
4- COLLECTOR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS4410 HEXFET Power MOSFET
IRFSL4410 HEXFET Power MOSFET
IRFB59N10 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFB59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFS59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
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參數(shù)描述
IRFB4410PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB4410ZGPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB4410ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB4510GPBF 功能描述:MOSFET 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB4510PBF 功能描述:MOSFET 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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