參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB4410
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 409K
代理商： IRFB4410
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 10.
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 11.
Typical C
OSS
Stored Energy
Fig 9.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 12.
Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0 0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
1.4 1.6 1.8
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1
10
100
1000
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
ID
Limited By Package
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ , Temperature ( °C )
100
105
110
115
120
125
130
V(
0
20
40
60
80
100
120
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
E
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
EA
ID
TOP 6.7A
9.7A
BOTTOM 58A
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PDF描述
IRFS4410 HEXFET Power MOSFET
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