參數(shù)資料
型號(hào)： IRF9640
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： CAP CERAMIC 5PF 50V C0G 0402
中文描述： 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： IRF9640
4-37
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.15
1.00
0.95
0.90
0.85
-80
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
80
120
160
1.05
1.10
I
D
= 250
μ
A
2000
400
00
20
50
C
1200
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1600
800
C
ISS
C
OSS
C
RSS
10
30
40
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
-10
-20
-30
-40
2
4
6
8
10
-50
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
-0.4
-1.0
-1.2
-1.6
-1.8
-0.6
-0.1
-1.0
-10
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
-100
-0.8
-1.4
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g(TOT)
, Total GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
20
40
60
80
-10
- 5
0
V
DS
= -40V
V
DS
= -100V
V
DS
= -160V
I
D
= -11A
IRF9640, RF1S9640SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9640 CAP CERAMIC 5.1PF 50V C0G 0402
IRF9910 Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box
IRF9952 Power MOSFET(Vdss=+-30V)
IRF9953 Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
IRF9Z14S Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF9640_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9640L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 11A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF9640LPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9640PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9640PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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