參數(shù)資料
型號(hào)： IRF9530
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(12A, 100V, 0.300 Ohm,P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： IRF9530
4-12
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
NOTE: Heating effect of 2
μ
s pulse is minimal.
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
-100
-1
100
μ
s
10
μ
s
DC
1ms
100ms
-10
-1
-0.1
-1000
-10
-100
LIMITED BY r
DS(ON)
AREA MAY BE
OPERATION IN THIS
10ms
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
T
C
= 25
o
C
I
D
,
0
-10
-20
-30
-40
-4
-8
-12
-16
-20
-50
V
GS
= -8V
V
GS
= -7V
V
GS
= -6V
V
GS
= -5V
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= -4V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= -10V
V
GS
= -9V
0
-2
0
-2
-4
-6
-10
-4
-6
I
D
,
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-8
-8
-10
V
GS
= -6V
V
GS
= -5V
V
GS
= -4V
V
GS
= -9V
V
GS
= -10V
V
GS
= -8V
V
GS
= -7V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
-4
-6
-8
-10
-2
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
-12
-16
I
D
,
-20
-8
-4
V
DS
≥
I
D(ON)
x r
DS(ON)
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
125
o
C
25
o
C
-55
o
C
0
0.8
-10
-20
-30
-40
r
D
D
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
-50
1.0
0
0.2
0.4
0.6
V
GS
= -10V
V
GS
= -20V
2
μ
s PULSE TEST
O
)
N
2.2
1.4
1.0
0.6
0.2
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
1.8
80
V
GS
= -10V, I
D
= -6.5A
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
O
IRF9530, RF1S9530SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9540 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9540NSTRL Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540NL Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF9530-220M 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
IRF9530L 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF9530N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220
IRF9530NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 14A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
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