型號(hào): | IRF9410 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 30V的,的Rds(on)\u003d 0.030ohm) |
文件頁數(shù): | 7/7頁 |
文件大小: | 114K |
代理商: | IRF9410 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRF9956 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm) |
IRFAF30 | HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) |
IRFAG30 | HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) |
IRFB18N50K | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.26ohm, Id=27A) |
IRFB20N50K | SMPS MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRF9410PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF9410TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF9410TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC - Tape and Reel |
IRF9410TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF949TE6700 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |