參數(shù)資料
型號(hào)： IRF9410
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）\u003d 0.030ohm）
文件頁數(shù)： 3/7頁
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代理商： IRF9410
IRF9410
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
3.0V
VGS
D
I
1
10
100
0.1
1
10
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
3.0V
VGS
1
10
100
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
T = 25°C
J
T = 150°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
A
V = 10V
20μs PULSE W IDTH
Fig 4.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF9410TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF9410TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF949TE6700 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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