參數(shù)資料
型號(hào)： IRF8915
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFETPower MOSFET
中文描述： HEXFETPower MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 215K
代理商： IRF8915
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
TA , Ambient Temperature (°C)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ID
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T
t / t
x Z
= P
+ T
1
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
3.68799 0.000349
2.18971 0.005246
34.7298 0.470610
21.8971 13.52000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9150 -25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRF9510 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET(3.0A, 100V, 1.200 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
IRF9520 6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET(6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
IRF9530 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(12A, 100V, 0.300 Ohm,P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
IRF9540 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF8915PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 18.3mOhms 4.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8915PBF_08 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF8915TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF8915TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9024 制造商:INTRSL 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*