型號: | IRF8915 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFETPower MOSFET |
中文描述: | HEXFETPower MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 3/10頁 |
文件大?。?/td> | 215K |
代理商: | IRF8915 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF9150 | -25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
IRF9510 | 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET(3.0A, 100V, 1.200 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
IRF9520 | 6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET(6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
IRF9530 | 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(12A, 100V, 0.300 Ohm,P溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
IRF9540 | 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF8915PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 18.3mOhms 4.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF8915PBF_08 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
IRF8915TR | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
IRF8915TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF9024 | 制造商:INTRSL 功能描述: |