參數(shù)資料
型號： IRF8910
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 274K
代理商： IRF8910
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
TA , Ambient Temperature (°C)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ID
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci=
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
τ
4
τ
4
R
4
R
4
τ
C
τ
C
τ
5
τ
5
R
5
R
5
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.2647 0.000091
2.0415 0.000776
18.970 0.188739
23.415 0.757700
16.803 25.10000
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
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PDF描述
IRF8915 HEXFETPower MOSFET
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