參數(shù)資料
型號(hào)： IRF8910
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
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代理商： IRF8910
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VG
VDS= 16V
VDS= 10V
ID= 8.2A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
0
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
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PDF描述
IRF8915 HEXFETPower MOSFET
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參數(shù)描述
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