參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7811W
廠商： International Rectifier
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： Power MOSFET for DC-DC Converters
中文描述： 功率MOSFET用于DC - DC轉(zhuǎn)換器
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： IRF7811W
IRF7811W
www.irf.com
3
Fig 1.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 3.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
I
V
=
=
GS
D
4.5V
15A
0
4
8
12
16
20
QG, Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
VG
ID= 15A
VDS = 16V
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.005
0.010
0.015
0.020
RD
)
ID = 15A
Fig 4.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
1000
2000
3000
4000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7822 Power MOSFET for DC-DC Converters
IRF8010 HEXFET Power MOSFET
IRF820A TRI N RECP F FLG 0-12
IRF820S Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
IRF830S Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7811WGTRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7811WHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7811WPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 15.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7811WTR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7811WTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Tape and Reel
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