參數(shù)資料
型號： IRF7811AV
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel Application-Specific MOSFETs
中文描述： N溝道特定應用MOSFET
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 86K
代理商： IRF7811AV
www.irf.com
3
IRF7811AV
0
5
10
15
20
0
2
4
6
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
15A
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.1
1
10
100
2.0
2.5
V , Gate-to-Source Voltage (V)
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
2DS
V = 15V
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0.1
1
10
100
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
Figure 1. Normalized On-Resistance vs. Temperature
Figure 2. Gate-to-Source Voltage vs. Typical Gate Charge
Figure 3. Typical Rds(on) vs. Gate-to-Source Voltage
Figure 4. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Figure 5. Typical Transfer Characteristics
Figure 6. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
3.0
6.0
9.0
12.0
15.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
0.018
0.020
RD
)
ID = 15A
-60
-40
-20
T , Junction Temperature
0
20
40
60
80
100
120
( C)
140
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
R
(
D
I
V
=
=
GS
D
4.5V
15A
V
DS
= 16V
相關PDF資料
PDF描述
IRF7811W Power MOSFET for DC-DC Converters
IRF7822 Power MOSFET for DC-DC Converters
IRF8010 HEXFET Power MOSFET
IRF820A TRI N RECP F FLG 0-12
IRF820S Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7811AV_05 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:N-Channel Application-Specific MOSFETs
IRF7811AVHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7811AVPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7811AVTR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7811AVTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*