參數(shù)資料
型號: IRF7706
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=-30V)
中文描述: 功率MOSFET(30V的減振鋼板基本\u003d-)
文件頁數(shù): 5/8頁
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代理商: IRF7706
IRF7706
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
-
D
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
2. Peak T =P
Notes:
1. Duty factor D = t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
V
DS
V
GS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
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PDF描述
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IRF7706GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -7A 22mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7706PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 30V 7A TSSOP8
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IRF7706TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -7A 22mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube