型號: | IRF7702 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=-12V) |
中文描述: | 功率MOSFET(12V的減振鋼板基本\u003d-) |
文件頁數(shù): | 7/8頁 |
文件大?。?/td> | 138K |
代理商: | IRF7702 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRF7703 | Power MOSFET(Vdss=-40V) |
IRF7704 | Power MOSFET(Vdss=-40V) |
IRF7705 | Power MOSFET(Vdss=-30V) |
IRF7706 | Power MOSFET(Vdss=-30V) |
IRF7707 | Power MOSFET(Vdss=-20V) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRF7702GPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET Ultra Low On-Resistance 1.8V Rated |
IRF7702GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -8A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7702PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8A 8-Pin TSSOP |
IRF7702TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF7702TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8A 8-Pin TSSOP T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP - Tape and Reel |