參數(shù)資料
型號(hào): IRF7702
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=-12V)
中文描述: 功率MOSFET(12V的減振鋼板基本\u003d-)
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
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代理商: IRF7702
IRF7702
4
www.irf.com
PROVISIONAL
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 7.
Threshold Voltage Vs. Temperature
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
5000
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-8.0A
V
=-9.6V
DS
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.20
0.40
0.60
0.80
-G
ID = -250μA
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
°
°
J
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
100us
1ms
10ms
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PDF描述
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參數(shù)描述
IRF7702GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET Ultra Low On-Resistance 1.8V Rated
IRF7702GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -8A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7702PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8A 8-Pin TSSOP
IRF7702TR 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7702TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8A 8-Pin TSSOP T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP - Tape and Reel