參數(shù)資料
型號： IRF7700
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-20V)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 20V的）
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： IRF7700
IRF7700
www.irf.com
7
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
Fig 15.
Typical Power Vs. Time
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
Time (sec)
0
10
20
30
40
50
60
P
-50
0
50
100
150
TJ , Temperature (°C)
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
-G
ID = -250μA
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PDF描述
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IRF7702 Power MOSFET(Vdss=-12V)
IRF7703 Power MOSFET(Vdss=-40V)
IRF7704 Power MOSFET(Vdss=-40V)
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參數(shù)描述
IRF7700GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET? Power MOSFET Ultra Low On-Resistance
IRF7700GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V A mOhm 59nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7700PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TSSOP-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, TSSOP-8
IRF7700TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7700TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V A mOhm 59nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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