參數(shù)資料
型號： IRF7494
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 567K
代理商： IRF7494
IRF7494
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
150
–––
–––
2.5
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.15
–––
35
44
–––
4.5
–––
1.0
–––
250
–––
100
–––
-100
V
V/°C
m
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
gfs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
eff.
Effective Output Capacitance
Avalanche Characteristics
Parameter
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
I
AR
Avalanche Current
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
36
54
7.5
–––
13
–––
15
–––
13
–––
36
–––
14
–––
1750
–––
220
–––
100
–––
870
–––
120
–––
170
–––
S
nC
ns
pF
Units
mJ
A
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
2.7
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
42
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
55
140
1.3
–––
–––
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
Max.
370
3.1
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 3.1A
R
G
= 6.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
T
J
= 25°C, I
S
= 3.1A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 3.1A, V
DD
= 25V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 3.1A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Conditions
Typ.
–––
–––
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 5.2A
I
D
= 3.1A
V
DS
= 75V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7506PBF HEXFET Power MOSFET (VDSS=-30V , RDS(on)=O.27ohm)
IRF7509PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7509TR Power MOSFET(Vdss=+-30V)
IRF7509 Power MOSFET(Vdss=+-30V)
IRF7523D1 FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V)
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參數(shù)描述
IRF7494PBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 36nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7494TR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7494TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 5.2A 44mOhm 36nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7495 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7495PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 22mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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