參數資料
型號： IRF7463PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 2/8頁
文件大?。?/td> 186K
代理商： IRF7463PBF
IRF7463PbF
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.029 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
2
www.irf.com
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
320
14
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
Symbol
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
2.3
110
Min. Typ. Max. Units
41
–––
–––
34
–––
7.6
–––
12
–––
21
–––
16
–––
138
–––
28
–––
6.5
–––
3150 –––
–––
1070 –––
–––
180
Conditions
V
DS
= 24V, I
D
= 11A
I
D
= 11A
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
DD
= 15V
I
D
= 11A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
–––
51
11.4
18
32
–––
–––
–––
–––
S
nC
–––
pF
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 11A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 11A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.52
0.44
45
65
50
80
1.3
–––
70
100
75
120
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
Min.
30
Typ.
–––
Max. Units
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
6.0
7.0
10.5
–––
–––
–––
–––
–––
8.0
9.5
20
2.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 14A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 11A
V
GS
= 2.7V, I
D
= 7.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
V
μA
nA
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