參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7464PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXET Power MOSFET
中文描述： HEXET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： IRF7464PBF
www.irf.com
1
9/21/04
IRF7464PbF
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
High frequency DC-DC converters
Lead-Free
Benefits
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance
Including Effective C
OSS
to Simplify
Design, (See App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Typical SMPS Topologies
Telecom 48V input Forward Converter
Parameter
Max.
1.2
1.0
10
2.5
0.02
± 30
6.8
Units
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Notes
through
are on page 8
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.73
I
D
1.2A
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
SO-8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7464 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.73ohm, Id=1.2A)
IRF7465 Power MOSFET(Vdss=150V, Id=1.9A)
IRF7466 Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A)
IRF7467PBF SMPS MOSFET
IRF7467 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=11A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7464TR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7464TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 1.2A 730mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7465 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7465HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC
IRF7465PBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 280mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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