參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7463
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.008ohm, Id=14A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.008ohm，身份證\u003d 14A條）
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： IRF7463
IRF7463
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
31
–––
–––
34
–––
7.5
–––
13
–––
20
–––
16
–––
41
–––
44
–––
3110 –––
–––
850
–––
130
Conditions
V
DS
= 24V, I
D
= 14A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
51 I
D
= 14A
11
nC
20
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 24V
V
GS
= 5.0V,
V
DD
= 15V,
I
D
= 1.0A
R
G
= 6.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
–––
–––
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
320
14
0.25
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 2.5A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
64
99
1.2
96
150
V
ns
nC
Diode Characteristics
2.5
110
A
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.029 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
Typ.
–––
Max. Units
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
0.0063 0.0080
0.0074 0.0095
0.0105 0.020
–––
–––
–––
–––
–––
V
GS
= 10V, I
D
= 14A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 3.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 100°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
2.0
20
100
200
-200
V
μA
nA
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PDF描述
IRF7464PBF HEXET Power MOSFET
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IRF7463TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 8mOhm 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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