參數(shù)資料
型號: IRF7459PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 166K
代理商: IRF7459PBF
IRF7459PbF
6
www.irf.com
Fig 14.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 13a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 14a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 14c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
4.3A
7.7A
9.6A
TOP
BOTTOM
0
20
40
60
80
100
ID , Drain Current (A)
0.007
0.008
0.009
0.010
RD
)
VGS = 10V
VGS = 4.5V
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
0.018
0.020
RD
)
ID = 12A
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