參數(shù)資料
型號(hào): IRF7458
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 30V的,的Rds(on)最大值\u003d 8.0mohm,身份證\u003d 14A條)
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
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代理商: IRF7458
IRF7458
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 13a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 14a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 14c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(B R)D SS
I
AS
RG
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
5.0A
9.0A
11A
TOP
0
20
40
60
80
100
120
ID , Drain Current (A)
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
RD
)
VGS = 16V
VGS = 6.0V
VGS = 10V
4
6
8
10
12
14
16
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
RD
)
ID = 14A
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IRF7458PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7458TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7458TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
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