參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7458
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 8.0mohm，身份證\u003d 14A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： IRF7458
IRF7458
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 11A, V
R
= 20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 11A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.82
0.68
51
87
52
93
1.3
–––
77
130
78
140
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.029 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
6.3
7.0
–––
–––
–––
–––
–––
8.0
9.0
4.0
20
100
200
-200
V
GS
= 16V, I
D
= 14A
V
GS
= 10V, I
D
= 11A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 24V
V
GS
= -24V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
S
D
G
Diode Characteristics
2.3
110
A
V
SD
Diode Forward Voltage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
280
11
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
Min. Typ. Max. Units
26
–––
–––
39 59 I
D
= 11A
–––
11
17
–––
8.7
13
–––
29
44
–––
10
–––
–––
4.6
–––
–––
22
–––
–––
5.0
–––
–––
2410 –––
–––
1100 –––
–––
110
–––
Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 11A
–––
S
nC
V
DS
= 15V
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V, V
DS
= 16V
V
DD
= 15V
I
D
= 11A
R
G
= 1.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
pF
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PDF描述
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