參數(shù)資料
型號(hào)： IRF743
廠(chǎng)商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 8 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 196K
代理商： IRF743
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF842 7 A, 500 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFD014 1.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFD211 600 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
IRFI644G 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFL214 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7433 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7433 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8
IRF7433.PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, SO-8
IRF7433HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-Pin SOIC
IRF7433PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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