參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7433PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 175K
代理商： IRF7433PBF
6
www.irf.com
Fig 13.
Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
Fig 14b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 14a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
10 V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.010
0.020
0.030
0.040
0.050
RD
)
ID = -8.7A
0.0
5.0 10.0 15.0 20.0 25.0 30.0 35.0 40.0
-ID , Drain Current ( A )
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
R
)
VGS = -2.5V
VGS = -1.8V
VGS = -4.5V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7433TR 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7433TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -8.9A 24mOhm 20nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF743FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
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