參數(shù)資料
型號： IRF7379IPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 212K
代理商： IRF7379IPBF
www.irf.com
3
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 4.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
4.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
4.5V
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
A
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
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PDF描述
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