參數(shù)資料
型號(hào): IRF7309
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
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代理商: IRF7309
151
IRF7309
Fig 12.
Typical Output Characteristics, T
J
= 25
o
C
Fig 13.
Typical Output Characteristics,T
J
= 150
o
C
N-Channel
P-Channel
Fig 9.
Max. Drain Current Vs. Ambient Temp.
Fig 11a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11b.
Basic Gate Charge Waveform
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
25
50
T , Ambient Temperature (°C)
75
100
125
150
I
D
A
1
10
100
0.1
1
10
100
D
A
-
-DS
VGS
-4.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
1
10
100
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
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IRF7309QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7309QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube