參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7307PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 294K
代理商： IRF7307PBF
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
TOP - 7.5V
- 3.5V
-1.5V
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-1.5V
0.1
1
10
100
1.5
2.0
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T = 25°C
T = 150°C
D
A
-
V = -15V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
A
I = -3.6A
V = -4.5V
0
500
1000
1500
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
G
A
-
I = -2.2A
V = -16V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7309IPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7309QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF730S HEXFET POWER MOSFET
IRF7311PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7311 HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7307QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7307QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET
IRF7307QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7307TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, DUAL N/P-CHANNEL, 20V, 4.3A, SO-8
IRF7307TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC T/R
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